[拼音]：gelishan jingtiguan
[外文]：isolated gate transistor，缩写IGT
一种功率场效应晶体管与双极型功率晶体管的复合器件。又称电导调制场效应晶体管(即COMFET)。
图1是其等效图和电路符号。IGT是功率集成器件，元件内含IGT单元数百至数千个，集成密度及制作难度在功率场效应晶体管(功率MOSFET)与双极型功率晶体管(GTR)之间。
IGT 管心的部分剖面结构(图2)显示，IGT 由功率场效应晶体管(Ⅰ)与双极型功率晶体管(Ⅱ)两个部分组成。
器件的输入部分为场效应管，输出部分则为双极型管，其中场效应管的输出电流作为双极型管的输入电流。因此，IGT结合了场效应管和双极型管两者的优点：电压型驱动，导通电流密度大，饱和压降低，耐压易提高（与双极型相同），是一种性能较完善的器件。
80年代中期，IGT的容量(已有15A/600V的器件)与功率MOSFET差不多。 在90年代有希望达到80年代中期GTR的水平，其开关频率则不会超过 GTR。用在100kHz以下、10kW以内的电力电子装置中，IGT既比功率MOSFET的效率高，又比GTR的驱动线路简单。IGT做成模块及组件后会更有利于应用。